低电压驱动的空穴注入层作为发光调节层的OLED器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010600507.2

申请日：

2010-12-22

公开(公告)号：

CN102110783A

公开(公告)日：

2011-06-29

发明(设计)人：

闵军辉宋书清徐宁

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市电子西街3号西京国际电气中心A幢503室

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5152 H01L5154

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

汪人和

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096118480 IPC(主分类):H01L 51/50 专利申请号:2010106005072 申请日:20101222
2014-01-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101687693783 IPC(主分类):H01L 51/50 专利申请号:2010106005072 申请公布日:20110629
2011-06-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件 [P].

肖标 ;

付东 ;

谢相伟 ;

高卓 .

中国专利 :CN105140394A ,2015-12-09

[2]

包括空穴注入层的半导体发光器件 [P].

金在均 ;

金柱成 ;

金峻渊 ;

朴永洙 ;

卓泳助 .

中国专利 :CN104425665A ,2015-03-18

[3]

采用掺杂的空穴迁移层和/或空穴注入层的有机发光器件 [P].

徐旼撤 ;

杨南喆 ;

陈炳斗 ;

金茂显 ;

李城宅 .

中国专利 :CN1575070B ,2005-02-02

[4]

空穴注入传输层用器件材料、空穴注入传输层形成用油墨、具有空穴注入传输层的器件及其制造方法 [P].

上野滋弘 ;

冈田政人 ;

田口洋介 ;

武诚司 ;

下河原匡哉 ;

多谷奈苗 .

中国专利 :CN102473850B ,2012-05-23

[5]

空穴注入传输层用器件材料、空穴注入传输层形成用油墨、具有空穴注入传输层的器件及其制造方法 [P].

上野滋弘 ;

冈田政人 .

中国专利 :CN102473849A ,2012-05-23

[6]

具有双层空穴注入层的有机发光器件结构 [P].

段瑜 ;

孙浩 ;

王光华 ;

万锐敏 ;

季华夏 .

中国专利 :CN203288658U ,2013-11-13

[7]

用高电导率空穴传输材料作为空穴传输层的有机电致发光器件 [P].

马东阁 ;

乔现锋 ;

王凤霞 ;

熊涛 .

中国专利 :CN101383400A ,2009-03-11

[8]

一种双空穴注入层的有机电致发光器件及其制备方法 [P].

张新稳 ;

由雪萌 ;

郝琳 ;

黄维 .

中国专利 :CN106450012A ,2017-02-22

[9]

空穴注入材料、包含其的空穴注入层和OLED显示面板 [P].

俞云海 ;

杨红领 ;

鄢亮亮 .

中国专利 :CN110627682B ,2019-12-31

[10]

凹版、使用凹版的发光层、空穴注入层的形成方法及有机发光器件 [P].

武田利彦 ;

森户秀 ;

小林胜 ;

白金弘之 .

中国专利 :CN1897326A ,2007-01-17

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