浸润式光刻的方法及其处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610109531.X

申请日：

2006-08-04

公开(公告)号：

CN100461004C

公开(公告)日：

2007-02-21

发明(设计)人：

张庆裕游大庆

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-21	公开	公开
2007-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

浸润式光刻的方法及其处理系统 [P].

张庆裕 ;

游大庆 ;

林进祥 .

中国专利 :CN1892436A ,2007-01-10

[2]

浸润式光刻的方法及其处理系统 [P].

张庆裕 ;

游大庆 ;

林进祥 .

中国专利 :CN102540761B ,2012-07-04

[3]

浸润式光刻技术的方法 [P].

林思闽 .

中国专利 :CN100507723C ,2007-10-17

[4]

浸润式光刻机曝光方法 [P].

李玉华 ;

黄发彬 ;

周曙亮 ;

赵潞明 ;

吴长明 ;

姚振海 ;

金乐群 .

中国专利 :CN113204175A ,2021-08-03

[5]

浸润式光刻系统 [P].

杨育佳 ;

林本坚 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2746425Y ,2005-12-14

[6]

浸润光刻系统、图案化半导体集成电路的浸润光刻方法 [P].

傅中其 ;

徐树彬 ;

张秀玉 .

中国专利 :CN101075095B ,2007-11-21

[7]

光刻预处理方法及光刻方法 [P].

吴永玉 .

中国专利 :CN101740334A ,2010-06-16

[8]

光刻方法 [P].

P·D·休斯塔德 ;

J·K·朴 .

中国专利 :CN105739237A ,2016-07-06

[9]

光刻方法 [P].

朴钟根 ;

C·N·李 ;

C·安德斯 ;

李忠奉 .

中国专利 :CN105022224A ,2015-11-04

[10]

光刻方法 [P].

Y·C·裴 ;

R·贝尔 ;

朴钟根 ;

李承泫 .

中国专利 :CN103186050A ,2013-07-03

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