浸润式光刻系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200420088867.9

申请日：

2004-08-25

公开(公告)号：

CN2746425Y

公开(公告)日：

2005-12-14

发明(设计)人：

杨育佳林本坚胡正明

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-17	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101587027956 IPC(主分类):G03F 7/20 专利号:ZL2004200888679 申请日:20040825 授权公告日:20051214 期满终止日期:20140825
2005-12-14	授权	授权

共 50 条

[1]

浸没式光刻系统 [P].

杨育佳 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2742470Y ,2005-11-23

[2]

浸润式光刻系统及对具有光阻层的半导体结构的照光方法 [P].

杨育佳 ;

林本坚 ;

胡正明 .

中国专利 :CN100535753C ,2005-08-17

[3]

浸润式光刻之方法与系统 [P].

林佳惠 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN100437356C ,2005-07-13

[4]

浸润式光刻系统使用方法 [P].

李永尧 ;

林韦志 ;

林志建 .

中国专利 :CN113848682A ,2021-12-28

[5]

浸润光刻系统、图案化半导体集成电路的浸润光刻方法 [P].

傅中其 ;

徐树彬 ;

张秀玉 .

中国专利 :CN101075095B ,2007-11-21

[6]

浸润式光刻的方法及其处理系统 [P].

张庆裕 ;

游大庆 ;

林进祥 .

中国专利 :CN1892436A ,2007-01-10

[7]

浸润式光刻的方法及其处理系统 [P].

张庆裕 ;

游大庆 ;

林进祥 .

中国专利 :CN102540761B ,2012-07-04

[8]

浸润式光刻机曝光方法 [P].

李玉华 ;

黄发彬 ;

周曙亮 ;

赵潞明 ;

吴长明 ;

姚振海 ;

金乐群 .

中国专利 :CN113204175A ,2021-08-03

[9]

浸润式光刻系统用的洁净膜清洗片、成分、用法及其应用 [P].

黄义雄 ;

林陵杰 .

中国专利 :CN101231469A ,2008-07-30

[10]

浸润式光刻的方法及其处理方法 [P].

张庆裕 ;

游大庆 .

中国专利 :CN100461004C ,2007-02-21

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