浸没式光刻系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200420087627.7

申请日：

2004-08-11

公开(公告)号：

CN2742470Y

公开(公告)日：

2005-11-23

发明(设计)人：

杨育佳胡正明

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-11-23	授权	授权
2014-09-10	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101586882607 IPC(主分类):G03F 7/20 专利号:ZL2004200876277 申请日:20040811 授权公告日:20051123 期满终止日期:20140811

共 50 条

[1]

浸没式光刻系统和制造半导体元件的方法 [P].

杨育佳 ;

胡正明 .

中国专利 :CN1624588A ,2005-06-08

[2]

浸没式光刻系统 [P].

亚历山德·克麦里切克 ;

亨利·西韦尔 ;

路易斯·约翰·马克雅 ;

埃里克·伦洛夫·卢布斯卓 ;

尼古拉斯·腾凯特 .

中国专利 :CN101776848A ,2010-07-14

[3]

浸润式光刻系统 [P].

杨育佳 ;

林本坚 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2746425Y ,2005-12-14

[4]

浸没式光刻系统的投影系统 [P].

伍强 ;

郝静安 .

中国专利 :CN103186056B ,2013-07-03

[5]

浸没式光刻设备及其浸没罩系统 [P].

桑伟华 ;

徐骁驰 .

中国专利 :CN115407611A ,2022-11-29

[6]

一种浸没式光刻装置 [P].

华平壤 ;

姜城 .

中国专利 :CN211086918U ,2020-07-24

[7]

浸没式光刻机基底台系统、浸没式光刻机 [P].

魏龙飞 ;

丛国栋 ;

方洁 .

中国专利 :CN207051662U ,2018-02-27

[8]

浸没式光刻设备 [P].

C·J·G·范德敦根 ;

N·F·寇普拉斯 ;

M·H·A·里恩德尔 ;

P·M·M·里伯艾格特斯 ;

J·C·H·穆肯斯 ;

E·H·E·C·奥姆梅伦 ;

M·贝克尔斯 ;

R·莫尔曼 ;

C·D·格乌斯塔 ;

D·M·H·菲利普斯 ;

R·J·P·沃黑斯 ;

P·马尔德 ;

E·范维利特 .

中国专利 :CN102221790B ,2011-10-19

[9]

浸没式光刻系统以及浸没式光刻中原地清洁透镜的方法 [P].

哈里·休厄尔 ;

路易斯·约翰·马克亚 .

中国专利 :CN102073221B ,2011-05-25

[10]

浸没式光刻系统以及浸没式光刻中原地清洁透镜的方法 [P].

哈里·休厄尔 ;

路易斯·约翰·马克亚 .

中国专利 :CN101320221A ,2008-12-10

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