浸没式光刻系统和制造半导体元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410058067.7

申请日：

2004-08-11

公开(公告)号：

CN1624588A

公开(公告)日：

2005-06-08

发明(设计)人：

杨育佳胡正明

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-06-08	公开	公开

共 50 条

[1]

浸没式光刻系统 [P].

杨育佳 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2742470Y ,2005-11-23

[2]

使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法 [P].

郑载昌 ;

文承灿 .

中国专利 :CN1971428B ,2007-05-30

[3]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07

[4]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

西村武义 .

中国专利 :CN106449638A ,2017-02-22

[5]

半导体元件的制造方法和半导体元件 [P].

三宅泰人 ;

广山良治 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN101369528A ,2009-02-18

[6]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

日本专利 :CN114600248B ,2025-04-22

[7]

半导体元件的制造方法和半导体元件 [P].

松浦文章 ;

佐藤知稔 .

中国专利 :CN105706215B ,2016-06-22

[8]

半导体元件和制造半导体元件的方法 [P].

约阿希姆·魏尔斯 ;

凯夫尼·布埃越克塔斯 ;

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

安东·毛德 .

中国专利 :CN103700650B ,2014-04-02

[9]

使用浸没式光刻工艺制造半导体器件的方法 [P].

李晟求 ;

郑载昌 .

中国专利 :CN101071274A ,2007-11-14

[10]

制造光学元件和半导体元件的方法 [P].

安德鲁·J·欧德科克 ;

保罗·S·勒格 ;

奥勒斯特尔·小本森 ;

凯瑟琳·A·莱瑟达尔 ;

威廉·D·约瑟夫 .

中国专利 :CN101087675A ,2007-12-12

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