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功率半导体用冷却装置
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201921784219.X
申请日：
2019-10-23
公开(公告)号：
CN210722999U
公开(公告)日：
2020-06-09
发明(设计)人：
朴荣燮
申请人：
申请人地址：
韩国首尔
IPC主分类号：
H01L23367
IPC分类号：
H01L23473
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
延美花;臧建明
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-06-09 | 授权 | 授权 |