氮含量高的氮化硅膜

被引：0

申请号：

CN202210051665.X

申请日：

2018-07-05

公开(公告)号：

CN114540792A

公开(公告)日：

2022-05-27

发明(设计)人：

阿达西·巴苏斯里尼瓦斯·D·内曼尼怡利·Y·叶

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

C23C1604 C23C1650 C23C1656 H01L2102 C07F710

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/34 申请日:20180705
2022-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

氮含量高的氮化硅膜 [P].

阿达西·巴苏 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·Y·叶 .

美国专利 :CN114540792B ,2024-12-13

[2]

氮含量高的氮化硅膜 [P].

阿达西·巴苏 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·Y·叶 .

中国专利 :CN110832109B ,2020-02-21

[3]

多层氮化硅膜 [P].

李世远 ;

金武性 ;

李彰原 ;

雷新建 .

美国专利 :CN118475717A ,2024-08-09

[4]

氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法 [P].

中西敏雄 ;

片山大介 .

中国专利 :CN107507774A ,2017-12-22

[5]

氮化硅膜的沉积方法 [P].

H·钱德拉 ;

A·马利卡朱南 ;

雷新建 ;

金武性 ;

K·S·卡瑟尔 ;

M·L·奥尼尔 .

中国专利 :CN104831254B ,2015-08-12

[6]

沉积氮化硅膜的方法 [P].

詹姆斯·S·思姆斯 ;

谢恩·唐 ;

维克兰特·莱 ;

安德鲁·麦克罗 ;

邱华檀 .

美国专利 :CN112930581B ,2025-04-15

[7]

沉积氮化硅膜的方法 [P].

詹姆斯·S·思姆斯 ;

谢恩·唐 ;

维克兰特·莱 ;

安德鲁·麦克罗 ;

邱华檀 .

中国专利 :CN112930581A ,2021-06-08

[8]

氮化硅膜的成膜方法、成膜装置及氮化硅膜 [P].

安藤优汰 ;

猪狩晃 ;

森本直树 .

日本专利 :CN116802336B ,2025-11-21

[9]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

[10]

低湿蚀刻速率的氮化硅膜 [P].

赫门特·P·芒吉卡 ;

吴璟 ;

杨·S·李 ;

王安川 .

中国专利 :CN101981225A ,2011-02-23

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