半导体装置的制造装置及半导体装置的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201610011824.8
申请日
2016-01-08
公开(公告)号
CN106158700A
公开(公告)日
2016-11-23
发明(设计)人
三浦正幸
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
H01L2148
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
张世俊
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
三浦正幸 .
中国专利 :CN110246770A ,2019-09-17
[2]
半导体装置、半导体装置的制造方法及制造装置 [P]. 
樱井大辅 ;
玉利健 ;
越智正三 .
日本专利 :CN117594463A ,2024-02-23
[3]
半导体装置、半导体装置的制造装置及半导体装置的制造方法、以及半导体模块 [P]. 
白水政孝 ;
秦浩公 ;
王亚哲 .
中国专利 :CN105097719A ,2015-11-25
[4]
半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置 [P]. 
高仓英也 .
中国专利 :CN101017788A ,2007-08-15
[5]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
村木信介 ;
中冈聪 .
日本专利 :CN113410158B ,2024-06-07
[6]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
山本贵章 ;
野元拓也 .
中国专利 :CN115148618A ,2022-10-04
[7]
半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P]. 
志摩真也 ;
高桥健司 .
中国专利 :CN105990207B ,2016-10-05
[8]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
山本贵章 ;
野元拓也 .
日本专利 :CN115148618B ,2025-12-26
[9]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
村木信介 ;
中冈聪 .
中国专利 :CN113410158A ,2021-09-17
[10]
半导体装置的制造装置及制造方法 [P]. 
丸矢裕介 ;
吉野浩章 .
日本专利 :CN119072774A ,2024-12-03