半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710008043.4

申请日：

2007-02-09

公开(公告)号：

CN101017788A

公开(公告)日：

2007-08-15

发明(设计)人：

高仓英也

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-18	授权	授权
2007-08-15	公开	公开
2016-03-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101652167520 IPC(主分类):H01L 21/56 专利号:ZL2007100080434 申请日:20070209 授权公告日:20090218 终止日期:20150209
2007-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体装置、半导体装置的制造方法及制造装置 [P].

樱井大辅 ;

玉利健 ;

越智正三 .

日本专利 :CN117594463A ,2024-02-23

[2]

半导体装置、半导体装置的制造装置及半导体装置的制造方法、以及半导体模块 [P].

白水政孝 ;

秦浩公 ;

王亚哲 .

中国专利 :CN105097719A ,2015-11-25

[3]

半导体装置的制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

三浦正幸 .

中国专利 :CN106158700A ,2016-11-23

[4]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

三浦正幸 .

中国专利 :CN110246770A ,2019-09-17

[5]

半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

志摩真也 ;

高桥健司 .

中国专利 :CN105990207B ,2016-10-05

[6]

半导体制造装置、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

财满健 .

日本专利 :CN119869845A ,2025-04-25

[7]

半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

岩井贵雅 ;

铃木裕一郎 ;

白尾明稔 ;

小杉祥 ;

藤野纯司 .

中国专利 :CN114514599A ,2022-05-17

[8]

半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

岩井贵雅 ;

铃木裕一郎 ;

白尾明稔 ;

小杉祥 ;

藤野纯司 .

日本专利 :CN114514599B ,2025-05-13

[9]

半导体装置的制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

中村祥太郎 .

中国专利 :CN110541161B ,2019-12-06

[10]

半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置 [P].

白河达彦 ;

高桥健司 ;

高野英治 ;

志摩真也 .

中国专利 :CN105990124A ,2016-10-05

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