TiN硬掩模和蚀刻残留物去除

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711386145.X

申请日：

2016-05-03

公开(公告)号：

CN108121149A

公开(公告)日：

2018-06-05

发明(设计)人：

刘文达李翊嘉 W·J·小卡斯特尔陈天牛 R·K·阿加瓦尔 M·B·劳

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

G03F100

IPC分类号：

H01L213213

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

吴亦华;徐志明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-30	授权	授权
2018-06-05	公开	公开
2018-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/00 申请日:20160503

共 50 条

[1]

TiN硬掩模和蚀刻残留物去除 [P].

刘文达 ;

李翊嘉 ;

W·J·小卡斯特尔 ;

陈天牛 ;

R·K·阿加瓦尔 ;

M·B·劳 .

中国专利 :CN106226991A ,2016-12-14

[2]

用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物 [P].

陈昭翔 ;

李翊嘉 ;

刘文达 ;

张仲逸 .

中国专利 :CN110777381B ,2020-02-11

[3]

用于除去氮化钛硬掩模和蚀刻残留物的组合物 [P].

W·J·小卡斯特尔 ;

稻冈诚二 ;

M·B·劳 ;

B·F·罗斯 ;

李翊嘉 ;

刘文达 ;

陈天牛 .

中国专利 :CN104730870B ,2015-06-24

[4]

氮化钛硬掩膜和蚀刻残留物的去除 [P].

W·J·小卡斯特尔 ;

稻冈诚二 ;

刘文达 ;

陈天牛 .

中国专利 :CN105295924A ,2016-02-03

[5]

选择性去除氮化钛硬掩膜和蚀刻残留物的去除 [P].

W·J·小卡斯特尔 ;

稻冈诚二 ;

刘文达 ;

陈天牛 .

中国专利 :CN106010826A ,2016-10-12

[6]

残留物去除 [P].

金正男 ;

刘彪 ;

潘成 ;

埃莉卡·陈 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·叶 .

中国专利 :CN112136204A ,2020-12-25

[7]

残留物去除 [P].

金正男 ;

刘彪 ;

潘成 ;

埃莉卡·陈 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·叶 .

美国专利 :CN112136204B ,2024-10-11

[8]

去除光刻胶和蚀刻残留物的方法 [P].

维迪雅纳坦·巴拉苏布拉马尼亚姆 ;

萩原正明 ;

西村荣一 ;

稻泽高一郎 ;

畑村安则 .

中国专利 :CN100388429C ,2005-08-10

[9]

一种蚀刻残留物去除组合物 [P].

张文贝 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

郭辛煊 .

中国专利 :CN120272281A ,2025-07-08

[10]

用于去除蚀刻残留物的组合物及其使用方法和用途 [P].

孙来生 ;

王莉莉 ;

吴爱萍 ;

李翊嘉 ;

陈天牛 .

美国专利 :CN114450388B ,2025-03-21

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