残留物去除

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980031899.4

申请日：

2019-05-03

公开(公告)号：

CN112136204B

公开(公告)日：

2024-10-11

发明(设计)人：

金正男刘彪潘成埃莉卡·陈殷正操斯里尼瓦斯·D·内曼尼怡利·叶

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/304

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/3065 H01L21/3213 H01L21/311

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-11	授权	授权

共 50 条

[1]

残留物去除 [P].

金正男 ;

刘彪 ;

潘成 ;

埃莉卡·陈 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·叶 .

中国专利 :CN112136204A ,2020-12-25

[2]

加工残留物去除设备 [P].

孙超 ;

苏晓帆 ;

王叶 ;

贺扬 ;

刘飞 .

中国专利 :CN207981781U ,2018-10-19

[3]

残留物的去除方法 [P].

李强 ;

丁士成 .

中国专利 :CN101567300B ,2009-10-28

[4]

玻璃吹瓶残留物去除装置 [P].

庞光伟 .

中国专利 :CN211385943U ,2020-09-01

[5]

去除铝残留物的方法 [P].

赖海长 ;

傅俊 ;

梁田 .

中国专利 :CN105336573B ,2016-02-17

[6]

小儿头皮残留物去除器 [P].

肖新波 ;

王丹 ;

肖欣华 ;

翟晔红 ;

鲍美英 ;

谭璐 .

中国专利 :CN201861034U ,2011-06-15

[7]

去除刻蚀残留物的方法 [P].

王灵玲 ;

宋铭峰 ;

郭佳衢 ;

李建茹 ;

方标 ;

刘轩 ;

王秀 ;

郑莲晃 ;

王润顺 .

中国专利 :CN101063821A ,2007-10-31

[8]

半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 [P].

M·切尔纳特 ;

S·李 .

中国专利 :CN100442449C ,2006-07-12

[9]

高阶节点工艺后端处理的蚀刻后残留物去除 [P].

E·I·库珀 ;

M·佩恩 ;

金万涞 ;

E·洪 ;

涂胜宏 ;

王界入 ;

许家荣 .

中国专利 :CN110177903A ,2019-08-27

[10]

高阶节点工艺后端处理的蚀刻后残留物去除 [P].

E·I·库珀 ;

M·佩恩 ;

金万涞 ;

E·洪 ;

涂胜宏 ;

王界入 ;

许家荣 .

美国专利 :CN120099535A ,2025-06-06

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