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去除铝残留物的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201410377280.8
申请日
:
2014-08-01
公开(公告)号
:
CN105336573B
公开(公告)日
:
2016-02-17
发明(设计)人
:
赖海长
傅俊
梁田
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
H01L21768
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
:
徐洁晶
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-01-29
授权
授权
2016-03-16
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101650138784 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014103772808 申请日:20140801
2016-02-17
公开
公开
共 50 条
[1]
去除刻蚀残留物的方法
[P].
王灵玲
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王灵玲
;
宋铭峰
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宋铭峰
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郭佳衢
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郭佳衢
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李建茹
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李建茹
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方标
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方标
;
刘轩
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刘轩
;
王秀
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王秀
;
郑莲晃
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郑莲晃
;
王润顺
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王润顺
.
中国专利
:CN101063821A
,2007-10-31
[2]
残留物的去除方法
[P].
李强
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李强
;
丁士成
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丁士成
.
中国专利
:CN101567300B
,2009-10-28
[3]
残留物去除
[P].
金正男
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金正男
;
刘彪
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刘彪
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潘成
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潘成
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埃莉卡·陈
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埃莉卡·陈
;
殷正操
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殷正操
;
斯里尼瓦斯·D·内曼尼
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斯里尼瓦斯·D·内曼尼
;
怡利·叶
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怡利·叶
.
中国专利
:CN112136204A
,2020-12-25
[4]
残留物去除
[P].
金正男
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
金正男
;
刘彪
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应用材料公司
应用材料公司
刘彪
;
潘成
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应用材料公司
应用材料公司
潘成
;
埃莉卡·陈
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应用材料公司
应用材料公司
埃莉卡·陈
;
殷正操
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应用材料公司
应用材料公司
殷正操
;
斯里尼瓦斯·D·内曼尼
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应用材料公司
应用材料公司
斯里尼瓦斯·D·内曼尼
;
怡利·叶
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应用材料公司
应用材料公司
怡利·叶
.
美国专利
:CN112136204B
,2024-10-11
[5]
去除光刻胶残留物的方法
[P].
林鑫
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
林鑫
;
陈浩
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
陈浩
;
樊航
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
樊航
;
张其学
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
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张其学
;
金佩
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
金佩
;
宋振伟
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
宋振伟
;
王雷
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王雷
.
中国专利
:CN118092093A
,2024-05-28
[6]
刮涂残留物的去除方法
[P].
谢自民
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谢自民
;
李鹏辉
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李鹏辉
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郭向阳
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郭向阳
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陈春明
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陈春明
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平财明
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平财明
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王庆军
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王庆军
.
中国专利
:CN110045866A
,2019-07-23
[7]
半导体工艺中铝腐蚀后表面残留物的去除方法
[P].
李兆营
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李兆营
;
李明浩
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李明浩
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李海涛
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李海涛
;
梁靖
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梁靖
.
中国专利
:CN115440584A
,2022-12-06
[8]
去除光刻胶残留物的方法、衬底
[P].
谢文春
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机构:
荣芯半导体(宁波)有限公司
荣芯半导体(宁波)有限公司
谢文春
;
请求不公布姓名
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机构:
荣芯半导体(宁波)有限公司
荣芯半导体(宁波)有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN121165414A
,2025-12-19
[9]
加工残留物去除设备
[P].
孙超
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孙超
;
苏晓帆
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苏晓帆
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王叶
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王叶
;
贺扬
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贺扬
;
刘飞
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刘飞
.
中国专利
:CN207981781U
,2018-10-19
[10]
化学机械研磨的残留物去除方法
[P].
邓武锋
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邓武锋
.
中国专利
:CN102157368A
,2011-08-17
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