去除刻蚀残留物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610026325.2

申请日：

2006-04-30

公开(公告)号：

CN101063821A

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

王灵玲宋铭峰郭佳衢李建茹方标刘轩王秀郑莲晃王润顺

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G03F742 H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20060430 授权公告日:20090311 终止日期:20190430
2007-10-31	公开	公开
2007-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-12-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101248709308 IPC(主分类):G03F 7/20 专利号:ZL2006100263252 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111116
2009-03-11	授权	授权

共 50 条

[1]

用于去除刻蚀残留物的组合物 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

王淑敏 .

中国专利 :CN101490627B ,2009-07-22

[2]

去除铝残留物的方法 [P].

赖海长 ;

傅俊 ;

梁田 .

中国专利 :CN105336573B ,2016-02-17

[3]

残留物的去除方法 [P].

李强 ;

丁士成 .

中国专利 :CN101567300B ,2009-10-28

[4]

光刻胶和刻蚀残留物的低压去除 [P].

稻沢刚一郎 ;

瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ;

畑村安则 ;

萩原正明 ;

西村荣一 .

中国专利 :CN101099234A ,2008-01-02

[5]

光刻胶和刻蚀残留物的低压去除 [P].

稻泽刚一郎 ;

瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ;

萩原正明 ;

西村荣一 .

中国专利 :CN101095379B ,2007-12-26

[6]

残留物去除 [P].

金正男 ;

刘彪 ;

潘成 ;

埃莉卡·陈 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·叶 .

中国专利 :CN112136204A ,2020-12-25

[7]

残留物去除 [P].

金正男 ;

刘彪 ;

潘成 ;

埃莉卡·陈 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·叶 .

美国专利 :CN112136204B ,2024-10-11

[8]

孔的刻蚀残留物的清洗方法 [P].

严磊 ;

龚寒琴 .

中国专利 :CN110265355A ,2019-09-20

[9]

一种湿法清洗等离子体刻蚀残留物的方法 [P].

李磊 ;

胡友存 ;

姬峰 ;

张亮 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102420168A ,2012-04-18

[10]

化学机械研磨的残留物去除方法 [P].

邓武锋 .

中国专利 :CN102157368A ,2011-08-17

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