一种湿法清洗等离子体刻蚀残留物的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110110381.5
申请日
2011-04-29
公开(公告)号
CN102420168A
公开(公告)日
2012-04-18
发明(设计)人
李磊 胡友存 姬峰 张亮 陈玉文
申请人
申请人地址
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
代理机构
上海新天专利代理有限公司 31213
代理人
王敏杰
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种等离子体刻蚀残留物清洗液 [P]. 
肖林成 ;
刘兵 ;
彭洪修 ;
张维棚 ;
赵鹏 .
中国专利 :CN113130292A ,2021-07-16
[2]
等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108493104A ,2018-09-04
[3]
等离子体刻蚀工艺 [P]. 
陈敏敏 ;
张年亨 ;
刘克 .
中国专利 :CN110459458B ,2019-11-15
[4]
等离子体刻蚀方法 [P]. 
高山星一 ;
倪图强 .
中国专利 :CN101465287B ,2009-06-24
[5]
一种等离子体刻蚀的方法 [P]. 
刘庆 ;
曾林华 ;
任昱 ;
吕煜坤 ;
朱骏 ;
张旭升 .
中国专利 :CN108847390A ,2018-11-20
[6]
等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法 [P]. 
刘东升 ;
吕煜坤 ;
朱骏 ;
张旭升 .
中国专利 :CN105161395A ,2015-12-16
[7]
等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法 [P]. 
周亚勇 ;
罗林 ;
刘家桦 .
中国专利 :CN109256316A ,2019-01-22
[8]
等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法 [P]. 
黄啟伟 ;
柳波 ;
高君 ;
张家赫 ;
刘彦伟 .
中国专利 :CN121096838A ,2025-12-09
[9]
一种等离子刻蚀残留物清洗液 [P]. 
刘兵 ;
彭洪修 ;
于昊 ;
彭杏 .
中国专利 :CN101561641A ,2009-10-21
[10]
等离子体刻蚀方法 [P]. 
李俊良 ;
杨俊 .
中国专利 :CN104681406A ,2015-06-03