等离子体刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310630208.7

申请日：

2013-11-29

公开(公告)号：

CN104681406A

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

李俊良杨俊

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;陶金龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615756230 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013106302087 申请日:20131129
2019-04-05	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:申请人变更前:中微半导体设备（上海）有限公司变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司变更事项:地址变更前:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2015-06-03	公开	公开
2020-03-31	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

孙超 .

中国专利 :CN104347389A ,2015-02-11

[2]

等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法 [P].

刘东升 ;

吕煜坤 ;

朱骏 ;

张旭升 .

中国专利 :CN105161395A ,2015-12-16

[3]

等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法 [P].

周亚勇 ;

罗林 ;

刘家桦 .

中国专利 :CN109256316A ,2019-01-22

[4]

等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法 [P].

黄啟伟 ;

柳波 ;

高君 ;

张家赫 ;

刘彦伟 .

中国专利 :CN121096838A ,2025-12-09

[5]

等离子体刻蚀机台 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN203895414U ,2014-10-22

[6]

等离子体刻蚀设备 [P].

王显亮 ;

孙文彬 ;

林洋洋 .

中国专利 :CN118398471B ,2024-10-29

[7]

等离子体刻蚀设备 [P].

王显亮 ;

孙文彬 ;

林洋洋 .

中国专利 :CN118398471A ,2024-07-26

[8]

等离子体刻蚀方法 [P].

高山星一 ;

倪图强 .

中国专利 :CN101465287B ,2009-06-24

[9]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

杨平 ;

李晶 .

中国专利 :CN103898613A ,2014-07-02

[10]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 .

中国专利 :CN102208333A ,2011-10-05

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