等离子体刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310312153.5

申请日：

2013-07-23

公开(公告)号：

CN104347389A

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

王兆祥孙超

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;林彦之

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-11	公开	公开
2019-09-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/3065 变更事项:专利权人变更前:中微半导体设备（上海）有限公司变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司变更事项:地址变更前:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2017-07-21	授权	授权
2015-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601520560 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2013103121535 申请日:20130723

共 50 条

[1]

等离子体刻蚀方法 [P].

李俊良 ;

杨俊 .

中国专利 :CN104681406A ,2015-06-03

[2]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

杨平 ;

李晶 .

中国专利 :CN103898613A ,2014-07-02

[3]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 .

中国专利 :CN102208333A ,2011-10-05

[4]

等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法 [P].

刘东升 ;

吕煜坤 ;

朱骏 ;

张旭升 .

中国专利 :CN105161395A ,2015-12-16

[5]

等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法 [P].

周亚勇 ;

罗林 ;

刘家桦 .

中国专利 :CN109256316A ,2019-01-22

[6]

等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法 [P].

黄啟伟 ;

柳波 ;

高君 ;

张家赫 ;

刘彦伟 .

中国专利 :CN121096838A ,2025-12-09

[7]

等离子体刻蚀装置 [P].

丁佳 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

欧少敏 ;

冯玉岩 .

中国专利 :CN214672495U ,2021-11-09

[8]

等离子体刻蚀装置 [P].

王铮 .

中国专利 :CN1851852A ,2006-10-25

[9]

等离子体刻蚀装置 [P].

王冬江 ;

符雅丽 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103515178A ,2014-01-15

[10]

等离子体刻蚀设备 [P].

王显亮 ;

孙文彬 ;

林洋洋 .

中国专利 :CN118398471B ,2024-10-29

← 1 2 3 4 5 →