等离子体刻蚀方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110141821.3
申请日
2011-05-27
公开(公告)号
CN102208333A
公开(公告)日
2011-10-05
发明(设计)人
王兆祥
申请人
申请人地址
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
H01L21311
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体刻蚀方法 [P]. 
王兆祥 ;
梁洁 ;
杨平 ;
李晶 .
中国专利 :CN103898613A ,2014-07-02
[2]
等离子体刻蚀方法 [P]. 
王兆祥 ;
孙超 .
中国专利 :CN104347389A ,2015-02-11
[3]
等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法 [P]. 
刘东升 ;
吕煜坤 ;
朱骏 ;
张旭升 .
中国专利 :CN105161395A ,2015-12-16
[4]
等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法 [P]. 
周亚勇 ;
罗林 ;
刘家桦 .
中国专利 :CN109256316A ,2019-01-22
[5]
等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法 [P]. 
黄啟伟 ;
柳波 ;
高君 ;
张家赫 ;
刘彦伟 .
中国专利 :CN121096838A ,2025-12-09
[6]
等离子体刻蚀装置 [P]. 
王铮 .
中国专利 :CN1851852A ,2006-10-25
[7]
等离子体刻蚀装置 [P]. 
王冬江 ;
符雅丽 ;
张海洋 .
中国专利 :CN103515178A ,2014-01-15
[8]
等离子体刻蚀方法 [P]. 
李俊良 ;
杨俊 .
中国专利 :CN104681406A ,2015-06-03
[9]
等离子体刻蚀方法 [P]. 
高山星一 ;
倪图强 .
中国专利 :CN101465287B ,2009-06-24
[10]
等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108493104A ,2018-09-04