等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810317249.3

申请日：

2018-04-10

公开(公告)号：

CN108493104A

公开(公告)日：

2018-09-04

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L213213

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20180410
2018-09-04	公开	公开
2019-10-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/311 申请公布日:20180904
2018-10-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/311 登记生效日:20181011 变更事项:申请人变更前权利人:睿力集成电路有限公司变更后权利人:长鑫存储技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室变更后权利人:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

共 50 条

[1]

等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法 [P].

刘东升 ;

吕煜坤 ;

朱骏 ;

张旭升 .

中国专利 :CN105161395A ,2015-12-16

[2]

等离子体刻蚀方法 [P].

高山星一 ;

倪图强 .

中国专利 :CN101465287B ,2009-06-24

[3]

等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法 [P].

周亚勇 ;

罗林 ;

刘家桦 .

中国专利 :CN109256316A ,2019-01-22

[4]

等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法 [P].

黄啟伟 ;

柳波 ;

高君 ;

张家赫 ;

刘彦伟 .

中国专利 :CN121096838A ,2025-12-09

[5]

等离子体刻蚀方法 [P].

李俊良 ;

杨俊 .

中国专利 :CN104681406A ,2015-06-03

[6]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

杨平 ;

李晶 .

中国专利 :CN103898613A ,2014-07-02

[7]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

孙超 .

中国专利 :CN104347389A ,2015-02-11

[8]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 .

中国专利 :CN102208333A ,2011-10-05

[9]

等离子体刻蚀装置 [P].

赵博超 ;

施洋 ;

郑江楠 .

中国专利 :CN110729161A ,2020-01-24

[10]

等离子体刻蚀处理装置 [P].

张冬平 ;

杨佐东 .

中国专利 :CN203013674U ,2013-06-19

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