等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510489026.1

申请日：

2015-08-11

公开(公告)号：

CN105161395A

公开(公告)日：

2015-12-16

发明(设计)人：

刘东升吕煜坤朱骏张旭升

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01J37244 H01L2166

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;陈慧弘

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101642492474 IPC(主分类):H01J 37/32 专利申请号:2015104890261 申请日:20150811
2015-12-16	公开	公开
2018-05-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01J 37/32 申请公布日:20151216

共 50 条

[1]

等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法 [P].

周亚勇 ;

罗林 ;

刘家桦 .

中国专利 :CN109256316A ,2019-01-22

[2]

等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法 [P].

黄啟伟 ;

柳波 ;

高君 ;

张家赫 ;

刘彦伟 .

中国专利 :CN121096838A ,2025-12-09

[3]

等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108493104A ,2018-09-04

[4]

等离子体刻蚀方法 [P].

李俊良 ;

杨俊 .

中国专利 :CN104681406A ,2015-06-03

[5]

等离子体刻蚀设备 [P].

郑锦华 ;

王俊杰 ;

廖晓燕 ;

吴双 ;

魏新煦 .

中国专利 :CN105118767A ,2015-12-02

[6]

等离子体刻蚀装置 [P].

苏财钰 ;

伍凯义 ;

杨然翔 ;

喻兵 ;

伍修颀 .

中国专利 :CN215933530U ,2022-03-01

[7]

等离子体刻蚀装置及其刻蚀方法 [P].

尹志尧 ;

叶如彬 ;

梁洁 ;

浦远 ;

徐朝阳 .

中国专利 :CN103531429B ,2014-01-22

[8]

等离子体刻蚀方法 [P].

高山星一 ;

倪图强 .

中国专利 :CN101465287B ,2009-06-24

[9]

等离子体刻蚀装置 [P].

丁佳 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

欧少敏 ;

冯玉岩 .

中国专利 :CN214672495U ,2021-11-09

[10]

等离子体刻蚀装置 [P].

王铮 .

中国专利 :CN1851852A ,2006-10-25

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