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等离子体刻蚀装置及其刻蚀方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201310533284.6
申请日：
2013-10-31
公开(公告)号：
CN103531429B
公开(公告)日：
2014-01-22
发明(设计)人：
尹志尧
叶如彬
梁洁
浦远
徐朝阳
申请人：
申请人地址：
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
IPC主分类号：
H01J3732
IPC分类号：
H01L213065
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
骆苏华
法律状态：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-04-12 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01J 37/32 变更事项:专利权人 变更前:中微半导体设备（上海）有限公司 变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司 变更事项:地址 变更前:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 |
| 2014-01-22 | 公开 | 公开 |
| 2016-03-02 | 授权 | 授权 |
| 2014-02-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101573729937 IPC(主分类):H01J 37/32 专利申请号:2013105332846 申请日:20131031 |