等离子体刻蚀装置及栅极的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910076699.9

申请日：

2009-01-15

公开(公告)号：

CN101783281A

公开(公告)日：

2010-07-21

发明(设计)人：

杨盟

申请人：

申请人地址：

100016 北京市朝阳区酒仙桥东路一号M5楼北方微电子

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2128 H01J3732

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

逯长明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-21	公开	公开
2012-01-11	授权	授权
2018-08-21	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/00 变更事项:专利权人变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司变更后:北京北方华创微电子装备有限公司变更事项:地址变更前:100016 北京市朝阳区酒仙桥东路一号M5楼北方微电子变更后:100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
2010-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005819974 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2009100766999 申请日:20090115

共 50 条

[1]

等离子体刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

卫晶 ;

韦刚 ;

杨京 .

中国专利 :CN110896019A ,2020-03-20

[2]

等离子体刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

倪图强 ;

叶如彬 ;

吴世鎭 .

中国专利 :CN103295870B ,2013-09-11

[3]

等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法 [P].

刘东升 ;

吕煜坤 ;

朱骏 ;

张旭升 .

中国专利 :CN105161395A ,2015-12-16

[4]

等离子体刻蚀装置及其刻蚀方法 [P].

尹志尧 ;

叶如彬 ;

梁洁 ;

浦远 ;

徐朝阳 .

中国专利 :CN103531429B ,2014-01-22

[5]

刻蚀方法及等离子体刻蚀装置 [P].

张凯 ;

徐伟娜 ;

侯剑秋 ;

吴紫阳 ;

张一川 .

中国专利 :CN119340235A ,2025-01-21

[6]

等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法 [P].

周亚勇 ;

罗林 ;

刘家桦 .

中国专利 :CN109256316A ,2019-01-22

[7]

等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法 [P].

黄啟伟 ;

柳波 ;

高君 ;

张家赫 ;

刘彦伟 .

中国专利 :CN121096838A ,2025-12-09

[8]

等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108493104A ,2018-09-04

[9]

非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备 [P].

王晓娟 ;

郑波 ;

马振国 ;

吴鑫 ;

王春 ;

史晶 .

中国专利 :CN110718459A ,2020-01-21

[10]

等离子体刻蚀方法 [P].

李俊良 ;

杨俊 .

中国专利 :CN104681406A ,2015-06-03

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