等离子体刻蚀设备及刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811061619.8

申请日：

2018-09-12

公开(公告)号：

CN110896019A

公开(公告)日：

2020-03-20

发明(设计)人：

卫晶韦刚杨京

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-20	公开	公开
2020-04-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20180912

共 50 条

[1]

等离子体刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

倪图强 ;

叶如彬 ;

吴世鎭 .

中国专利 :CN103295870B ,2013-09-11

[2]

等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法 [P].

刘东升 ;

吕煜坤 ;

朱骏 ;

张旭升 .

中国专利 :CN105161395A ,2015-12-16

[3]

非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备 [P].

王晓娟 ;

郑波 ;

马振国 ;

吴鑫 ;

王春 ;

史晶 .

中国专利 :CN110718459A ,2020-01-21

[4]

刻蚀方法及等离子体刻蚀装置 [P].

张凯 ;

徐伟娜 ;

侯剑秋 ;

吴紫阳 ;

张一川 .

中国专利 :CN119340235A ,2025-01-21

[5]

等离子体刻蚀设备及方法 [P].

杨盟 .

中国专利 :CN104616956B ,2015-05-13

[6]

等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法 [P].

周亚勇 ;

罗林 ;

刘家桦 .

中国专利 :CN109256316A ,2019-01-22

[7]

等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法 [P].

黄啟伟 ;

柳波 ;

高君 ;

张家赫 ;

刘彦伟 .

中国专利 :CN121096838A ,2025-12-09

[8]

等离子体刻蚀装置及栅极的刻蚀方法 [P].

杨盟 .

中国专利 :CN101783281A ,2010-07-21

[9]

等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108493104A ,2018-09-04

[10]

等离子体刻蚀设备 [P].

王晶 ;

李谦 .

中国专利 :CN202633210U ,2012-12-26

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