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刻蚀方法及等离子体刻蚀装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310907612.8
申请日：
2023-07-21
公开(公告)号：
CN119340235A
公开(公告)日：
2025-01-21
发明(设计)人：
张凯
徐伟娜
侯剑秋
吴紫阳
张一川
申请人：
中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请人地址：
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
IPC主分类号：
H01L21/67
IPC分类号：
H01J37/32
代理机构：
上海元好知识产权代理有限公司 31323
代理人：
贾艺璇;贾慧琴
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-14 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/67申请日:20230721 |
| 2025-01-21 | 公开 | 公开 |