等离子体刻蚀装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210214130.6

申请日：

2012-06-26

公开(公告)号：

CN103515178A

公开(公告)日：

2014-01-15

发明(设计)人：

王冬江符雅丽张海洋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-15	公开	公开
2014-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571922207 IPC(主分类):H01J 37/32 专利申请号:2012102141306 申请日:20120626
2016-11-30	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子体刻蚀装置 [P].

王铮 .

中国专利 :CN1851852A ,2006-10-25

[2]

等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法 [P].

刘东升 ;

吕煜坤 ;

朱骏 ;

张旭升 .

中国专利 :CN105161395A ,2015-12-16

[3]

等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法 [P].

周亚勇 ;

罗林 ;

刘家桦 .

中国专利 :CN109256316A ,2019-01-22

[4]

等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法 [P].

黄啟伟 ;

柳波 ;

高君 ;

张家赫 ;

刘彦伟 .

中国专利 :CN121096838A ,2025-12-09

[5]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

杨平 ;

李晶 .

中国专利 :CN103898613A ,2014-07-02

[6]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

孙超 .

中国专利 :CN104347389A ,2015-02-11

[7]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 .

中国专利 :CN102208333A ,2011-10-05

[8]

等离子体刻蚀装置 [P].

苏财钰 ;

伍凯义 ;

杨然翔 ;

喻兵 ;

伍修颀 .

中国专利 :CN215933530U ,2022-03-01

[9]

等离子体刻蚀装置 [P].

丁佳 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

欧少敏 ;

冯玉岩 .

中国专利 :CN214672495U ,2021-11-09

[10]

等离子体刻蚀装置 [P].

左涛涛 ;

连增迪 ;

吴狄 .

中国专利 :CN111370281A ,2020-07-03

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