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半导体工艺中铝腐蚀后表面残留物的去除方法

被引：0
申请号：
CN202211016126.9
申请日：
2022-08-23
公开(公告)号：
CN115440584A
公开(公告)日：
2022-12-06
发明(设计)人：
李兆营 李明浩 李海涛 梁靖
申请人：
申请人地址：
239004 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
IPC主分类号：
H01L21321
IPC分类号：
H01L213213
代理机构：
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387
代理人：
张向琨
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-12-06 公开 公开
2022-12-23 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/321 申请日:20220823
共 50 条
[1]
半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 [P]. 
M·切尔纳特 ;
S·李 .
中国专利 :CN100442449C ,2006-07-12
[2]
去除铝残留物的方法 [P]. 
赖海长 ;
傅俊 ;
梁田 .
中国专利 :CN105336573B ,2016-02-17
[3]
去除半导体基材灰化后残留物的组合物及方法 [P]. 
詹博筌 ;
王秋桂 ;
尤绍峰 .
中国专利 :CN119020117B ,2025-08-29
[4]
去除半导体基材灰化后残留物的组合物及方法 [P]. 
詹博筌 ;
王秋桂 ;
尤绍峰 .
中国专利 :CN119020117A ,2024-11-26
[5]
去除半导体基材灰化后残留物的组合物及方法 [P]. 
詹博筌 ;
王秋桂 ;
詹惟仲 ;
尤绍峰 .
中国专利 :CN120665662A ,2025-09-19
[6]
去除刻蚀残留物的方法 [P]. 
王灵玲 ;
宋铭峰 ;
郭佳衢 ;
李建茹 ;
方标 ;
刘轩 ;
王秀 ;
郑莲晃 ;
王润顺 .
中国专利 :CN101063821A ,2007-10-31
[7]
在制造半导体器件过程中去除残留物的方法 [P]. 
巫俊昌 ;
陈俊璋 ;
吴权陵 ;
莫忘本 ;
谢弘璋 .
中国专利 :CN103390540A ,2013-11-13
[8]
化学机械研磨后残留物的去除方法 [P]. 
黄孝鹏 .
中国专利 :CN101894735A ,2010-11-24
[9]
化学机械研磨后残留物的去除方法 [P]. 
黄孝鹏 .
中国专利 :CN101908465A ,2010-12-08
[10]
化学机械研磨后残留物的去除方法 [P]. 
张斐尧 ;
李福洪 ;
杜应提 ;
薛景星 .
中国专利 :CN101197268A ,2008-06-11
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