高阶节点工艺后端处理的蚀刻后残留物去除

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880006796.8

申请日：

2018-01-17

公开(公告)号：

CN110177903A

公开(公告)日：

2019-08-27

发明(设计)人：

E·I·库珀 M·佩恩金万涞 E·洪涂胜宏王界入许家荣

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

C23G124

IPC分类号：

C23G120 H01L2102 H01L21768 C11D1100 G03F742 C23G118 C23G126 C09K1308

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

李婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23G 1/24 申请日:20180117
2019-08-27	公开	公开

共 50 条

[1]

高阶节点工艺后端处理的蚀刻后残留物去除 [P].

E·I·库珀 ;

M·佩恩 ;

金万涞 ;

E·洪 ;

涂胜宏 ;

王界入 ;

许家荣 .

美国专利 :CN120099535A ,2025-06-06

[2]

半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 [P].

M·切尔纳特 ;

S·李 .

中国专利 :CN100442449C ,2006-07-12

[3]

用于去除蚀刻后残留物的水溶液 [P].

R·梅利斯 .

中国专利 :CN101065837A ,2007-10-31

[4]

用于去除蚀刻后残留物的清洁组合物 [P].

M·佩恩 ;

E·库珀 ;

金万涞 ;

E·洪 ;

S·金 .

中国专利 :CN110023477A ,2019-07-16

[5]

一种用于蚀刻后残留物去除的组合物 [P].

夏德勇 ;

刘兵 ;

刘玉凤 .

中国专利 :CN120173682A ,2025-06-20

[6]

残留物去除 [P].

金正男 ;

刘彪 ;

潘成 ;

埃莉卡·陈 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·叶 .

中国专利 :CN112136204A ,2020-12-25

[7]

残留物去除 [P].

金正男 ;

刘彪 ;

潘成 ;

埃莉卡·陈 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

怡利·叶 .

美国专利 :CN112136204B ,2024-10-11

[8]

一种去除蚀刻残留物的组合物 [P].

蔡贝克 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

李志豪 ;

温启蒙 .

中国专利 :CN120230612A ,2025-07-01

[9]

一种蚀刻残留物去除组合物 [P].

张文贝 ;

刘兵 ;

彭洪修 ;

郭辛煊 .

中国专利 :CN120272281A ,2025-07-08

[10]

蚀刻后残留物清洁组合物及其使用方法 [P].

孙来生 ;

李翊嘉 ;

王莉莉 ;

吴爱萍 .

中国专利 :CN110777021A ,2020-02-11

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