一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410010970.6

申请日：

2004-06-30

公开(公告)号：

CN1595613A

公开(公告)日：

2005-03-16

发明(设计)人：

李传南王丽杰张彤赵毅侯晶莹刘式墉

申请人：

申请人地址：

130023吉林省长春市朝阳区前卫路10号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司

代理人：

张景林

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-03-16	公开	公开
2005-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-08-08	授权	授权
2013-08-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101508928322 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2004100109706 申请日:20040630 授权公告日:20070808 终止日期:20120630

共 50 条

[1]

一种可调控的金属诱导多晶硅薄膜制造方法 [P].

黄宇华 ;

黄飚 ;

彭俊华 .

中国专利 :CN102129962A ,2011-07-20

[2]

一种基于金属诱导的多晶硅薄膜 [P].

黄宇华 ;

黄飚 ;

彭俊华 .

中国专利 :CN101834211A ,2010-09-15

[3]

一种基于金属诱导的多晶硅薄膜的制备方法 [P].

黄宇华 ;

黄飚 ;

彭俊华 .

中国专利 :CN101834139A ,2010-09-15

[4]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

秦明 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN1316770A ,2001-10-10

[5]

一种基于金属诱导的多晶硅薄膜的制备方法 [P].

翟小利 ;

谭瑞琴 ;

庄福强 ;

宋伟杰 ;

王维燕 ;

黄金华 ;

徐铁峰 .

中国专利 :CN103199151A ,2013-07-10

[6]

制造多晶硅薄膜的方法 [P].

李沅泰 ;

赵汉植 ;

金亨洙 .

中国专利 :CN102414791B ,2012-04-11

[7]

一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

周平生 ;

周平华 ;

李杰 ;

瞿晓雷 ;

廖阳 ;

钱隽 ;

李季戎 ;

张月璐 ;

许月阳 .

中国专利 :CN102709404A ,2012-10-03

[8]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

[9]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[10]

一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN202405261U ,2012-08-29

← 1 2 3 4 5 →