一种可调控的金属诱导多晶硅薄膜制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010529564.6

申请日：

2010-10-28

公开(公告)号：

CN102129962A

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

黄宇华黄飚彭俊华

申请人：

申请人地址：

528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

王勇

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101645425008 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105295646 申请公布日:20110720
2011-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101102912685 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105295646 申请日:20101028
2011-07-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜制造方法 [P].

李传南 ;

王丽杰 ;

张彤 ;

赵毅 ;

侯晶莹 ;

刘式墉 .

中国专利 :CN1595613A ,2005-03-16

[2]

一种基于金属诱导的多晶硅薄膜 [P].

黄宇华 ;

黄飚 ;

彭俊华 .

中国专利 :CN101834211A ,2010-09-15

[3]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

秦明 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN1316770A ,2001-10-10

[4]

一种基于金属诱导的多晶硅薄膜的制备方法 [P].

黄宇华 ;

黄飚 ;

彭俊华 .

中国专利 :CN101834139A ,2010-09-15

[5]

一种用于可调控地制备多晶硅薄膜的多层膜结构 [P].

黄宇华 ;

黄飚 ;

彭俊华 .

中国专利 :CN102097459A ,2011-06-15

[6]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

张茂益 .

中国专利 :CN1315156C ,2005-02-16

[7]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

张茂益 .

中国专利 :CN1581427A ,2005-02-16

[8]

制造多晶硅薄膜的方法 [P].

李沅泰 ;

赵汉植 ;

金亨洙 .

中国专利 :CN102414791B ,2012-04-11

[9]

一种基于金属诱导的多晶硅薄膜的制备方法 [P].

翟小利 ;

谭瑞琴 ;

庄福强 ;

宋伟杰 ;

王维燕 ;

黄金华 ;

徐铁峰 .

中国专利 :CN103199151A ,2013-07-10

[10]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

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