一种用于可调控地制备多晶硅薄膜的多层膜结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010529561.2

申请日：

2010-10-28

公开(公告)号：

CN102097459A

公开(公告)日：

2011-06-15

发明(设计)人：

黄宇华黄飚彭俊华

申请人：

申请人地址：

528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29786 H01L2102 B32B904 B32B1700 B32B1500

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

王勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-15	公开	公开
2014-12-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101591991527 IPC(主分类):H01L 29/06 专利号:ZL2010105295612 申请日:20101028 授权公告日:20121031 终止日期:20131028
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096120418 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2010105295612 申请日:20101028
2012-10-31	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

凌代年 ;

邱成峰 ;

彭华军 ;

黄飚 .

中国专利 :CN102610633A ,2012-07-25

[2]

一种用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构 [P].

何子键 ;

郭海成 ;

凌代年 ;

邱成峰 ;

彭华军 ;

黄飚 .

中国专利 :CN202058736U ,2011-11-30

[3]

一种制备具有多晶硅薄膜的多层膜结构的方法 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

凌代年 ;

邱成峰 ;

彭华军 ;

黄飚 .

中国专利 :CN102610499A ,2012-07-25

[4]

一种可调控的金属诱导多晶硅薄膜制造方法 [P].

黄宇华 ;

黄飚 ;

彭俊华 .

中国专利 :CN102129962A ,2011-07-20

[5]

一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构 [P].

赵淑云 .

中国专利 :CN101819999A ,2010-09-01

[6]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[7]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN102956499A ,2013-03-06

[8]

一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102651311B ,2012-08-29

[9]

多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅TFT结构 [P].

张良芬 ;

连水池 ;

罗长诚 ;

吴元均 ;

徐源竣 ;

郭海成 ;

王文 ;

陈荣盛 ;

周玮 ;

张猛 .

中国专利 :CN104992899A ,2015-10-21

[10]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

张进 .

中国专利 :CN108987247A ,2018-12-11

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