等离子体处理系统中优化基片蚀刻的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580008542.2

申请日：

2005-03-09

公开(公告)号：

CN1997771A

公开(公告)日：

2007-07-11

发明(设计)人：

金智洙比内特·沃尔沙姆严必明彼得·K·勒文哈德特

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23F100

IPC分类号：

H01L21302 B44C122 C03C1500

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

余刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-11	公开	公开
2007-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-11-10	授权	授权

共 50 条

[1]

基片支承器、等离子体处理系统和等离子体蚀刻方法 [P].

早坂直人 ;

高桥智之 ;

河田祐纪 .

中国专利 :CN114914144A ,2022-08-16

[2]

加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻 [P].

埃里克·赫德森 ;

安德鲁·D·贝利三世 ;

拉金德尔·迪恩赛 .

中国专利 :CN107424900A ,2017-12-01

[3]

加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻 [P].

埃里克·赫德森 ;

安德鲁·D·贝利三世 ;

拉金德尔·迪恩赛 .

中国专利 :CN103632954B ,2014-03-12

[4]

等离子体处理系统、等离子体处理装置以及蚀刻方法 [P].

齐藤昴 ;

中根由太 ;

高桥笃史 ;

石川慎也 ;

大内田聪 ;

户村幕树 .

日本专利 :CN117855088A ,2024-04-09

[5]

蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统 [P].

胜沼隆幸 ;

本田昌伸 ;

中根由太 ;

石川慎也 .

中国专利 :CN112509920A ,2021-03-16

[6]

等离子体处理系统和等离子体处理方法 [P].

茂山和基 ;

永关一也 .

中国专利 :CN114050100A ,2022-02-15

[7]

等离子体处理系统和等离子体处理方法 [P].

茂山和基 ;

永关一也 .

中国专利 :CN110137068B ,2019-08-16

[8]

蚀刻方法以及等离子体处理系统 [P].

松原稜 ;

高桥笃史 ;

中根由太 ;

齐藤昴 .

日本专利 :CN117832077A ,2024-04-05

[9]

蚀刻方法和等离子体处理系统 [P].

泽野拓哉 ;

山口雅仁 ;

户村幕树 ;

木原嘉英 .

日本专利 :CN119698688A ,2025-03-25

[10]

蚀刻方法和等离子体处理系统 [P].

郭世荣 ;

佐佐木彦一郎 ;

昆泰光 .

中国专利 :CN114078697A ,2022-02-22

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