加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310379780.0

申请日：

2013-08-27

公开(公告)号：

CN103632954B

公开(公告)日：

2014-03-12

发明(设计)人：

埃里克·赫德森安德鲁·D·贝利三世拉金德尔·迪恩赛

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01J3732

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581320753 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2013103797800 申请日:20130827
2014-03-12	公开	公开
2017-08-11	授权	授权

共 50 条

[1]

加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻 [P].

埃里克·赫德森 ;

安德鲁·D·贝利三世 ;

拉金德尔·迪恩赛 .

中国专利 :CN107424900A ,2017-12-01

[2]

等离子体处理系统、等离子体处理装置以及蚀刻方法 [P].

齐藤昴 ;

中根由太 ;

高桥笃史 ;

石川慎也 ;

大内田聪 ;

户村幕树 .

日本专利 :CN117855088A ,2024-04-09

[3]

等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

森口尚树 .

中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25

[4]

等离子体处理方法、等离子体处理装置以及等离子体处理系统 [P].

米泽隆宏 ;

熊仓翔 .

中国专利 :CN115513044A ,2022-12-23

[5]

等离子体处理系统中的等离子体限制结构 [P].

艾利克·哈德森 ;

安德里亚斯·费舍尔 .

中国专利 :CN102246603A ,2011-11-16

[6]

基片支承器、等离子体处理系统和等离子体蚀刻方法 [P].

早坂直人 ;

高桥智之 ;

河田祐纪 .

中国专利 :CN114914144A ,2022-08-16

[7]

等离子体处理方法和等离子体处理系统 [P].

向山广记 ;

户村幕树 ;

木原嘉英 ;

高桥笃史 ;

大类贵俊 .

日本专利 :CN116805579B ,2025-03-14

[8]

等离子体处理系统和等离子体处理方法 [P].

曾根一朗 ;

长﨑秀昭 .

中国专利 :CN114823264A ,2022-07-29

[9]

等离子体处理系统和等离子体处理方法 [P].

茂山和基 ;

永关一也 .

中国专利 :CN114050100A ,2022-02-15

[10]

等离子体处理系统和等离子体处理方法 [P].

茂山和基 ;

永关一也 .

中国专利 :CN110137068B ,2019-08-16

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