半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880115867.4

申请日：

2008-11-13

公开(公告)号：

CN101855735A

公开(公告)日：

2010-10-06

发明(设计)人：

井手义行龟井英德米仓勇小原邦彦中原光一中津浩二远矢嘉郎北园俊郎前田俊秀小屋贤一白幡孝洋

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101017287989 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008801158674 申请日:20081113
2010-10-06	公开	公开
2012-06-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101389526298 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008801158674 公开日:20101006

共 50 条

[1]

半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 [P].

伊延元孝 ;

山田元量 ;

镰田和宏 .

中国专利 :CN103199178B ,2013-07-10

[2]

半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 [P].

伊延元孝 ;

山田元量 ;

镰田和宏 .

中国专利 :CN101794855B ,2010-08-04

[3]

半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 [P].

安藤宪 .

中国专利 :CN106920791A ,2017-07-04

[4]

半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 [P].

渡边大辅 .

日本专利 :CN119404617A ,2025-02-07

[5]

半导体发光装置、半导体元件及半导体发光装置的制造方法 [P].

池原正博 .

中国专利 :CN1992364A ,2007-07-04

[6]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、半导体发光装置及基板 [P].

神川刚 ;

加藤正明 ;

花本哲也 .

中国专利 :CN104247053B ,2014-12-24

[7]

半导体发光装置和半导体发光装置的制造方法 [P].

筱田明人 .

日本专利 :CN119008813A ,2024-11-22

[8]

半导体发光装置和半导体发光装置的制造方法 [P].

筱田明人 .

日本专利 :CN119008812A ,2024-11-22

[9]

半导体发光装置及半导体发光装置制造方法 [P].

柜田幸央 ;

大桥达男 .

中国专利 :CN101981710B ,2011-02-23

[10]

半导体发光元件、发光装置及制造半导体发光元件的方法 [P].

山田真嗣 ;

胜野弘 ;

三木聡 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104051582A ,2014-09-17

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