半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380048222.8

申请日：

2023-06-01

公开(公告)号：

CN119404617A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

渡边大辅

申请人：

斯坦雷电气株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H10H20/856

IPC分类号：

H10H20/851 H10H20/01

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

于英慧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	公开	公开
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/856申请日:20230601

共 50 条

[1]

半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 [P].

伊延元孝 ;

山田元量 ;

镰田和宏 .

中国专利 :CN103199178B ,2013-07-10

[2]

半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 [P].

伊延元孝 ;

山田元量 ;

镰田和宏 .

中国专利 :CN101794855B ,2010-08-04

[3]

半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 [P].

安藤宪 .

中国专利 :CN106920791A ,2017-07-04

[4]

半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 [P].

井手义行 ;

龟井英德 ;

米仓勇 ;

小原邦彦 ;

中原光一 ;

中津浩二 ;

远矢嘉郎 ;

北园俊郎 ;

前田俊秀 ;

小屋贤一 ;

白幡孝洋 .

中国专利 :CN101855735A ,2010-10-06

[5]

半导体发光装置、半导体元件及半导体发光装置的制造方法 [P].

池原正博 .

中国专利 :CN1992364A ,2007-07-04

[6]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、半导体发光装置及基板 [P].

神川刚 ;

加藤正明 ;

花本哲也 .

中国专利 :CN104247053B ,2014-12-24

[7]

半导体发光装置和半导体发光装置的制造方法 [P].

筱田明人 .

日本专利 :CN119008813A ,2024-11-22

[8]

半导体发光装置和半导体发光装置的制造方法 [P].

筱田明人 .

日本专利 :CN119008812A ,2024-11-22

[9]

半导体发光装置及半导体发光装置制造方法 [P].

柜田幸央 ;

大桥达男 .

中国专利 :CN101981710B ,2011-02-23

[10]

半导体发光元件、发光装置及制造半导体发光元件的方法 [P].

山田真嗣 ;

胜野弘 ;

三木聡 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104051582A ,2014-09-17

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