大电流半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720164445.2

申请日：

2017-02-23

公开(公告)号：

CN206672916U

公开(公告)日：

2017-11-24

发明(设计)人：

张春尧彭兴义

申请人：

申请人地址：

224005 江苏省盐城市盐都区高新区智能终端产业园3号厂房

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2352

代理机构：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-24	授权	授权

共 50 条

[1]

大电流半导体器件以及大电流半导体器件框架 [P].

郭可桢 ;

熊会军 ;

徐锐 .

中国专利 :CN203218250U ,2013-09-25

[2]

大电流半导体器件 [P].

苗庆海 ;

张德骏 ;

王家俭 ;

张兴华 .

中国专利 :CN2147652Y ,1993-11-24

[3]

大电流半导体器件结构 [P].

江炳煌 .

中国专利 :CN203760459U ,2014-08-06

[4]

大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN209785910U ,2019-12-13

[5]

大电流并联半导体器件 [P].

廖兵 ;

沈礼福 .

中国专利 :CN211858640U ,2020-11-03

[6]

大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN110164832A ,2019-08-23

[7]

利于焊接的大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN209804635U ,2019-12-17

[8]

一种大电流半导体器件结构 [P].

陈宝玉 .

中国专利 :CN207425847U ,2018-05-29

[9]

一种大电流半导体器件结构 [P].

黄泽军 .

中国专利 :CN207409476U ,2018-05-25

[10]

大电流半导体器件的封装工艺 [P].

江炳煌 .

中国专利 :CN103887188A ,2014-06-25

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