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大电流并联半导体器件
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202020841486.2
申请日
:
2020-05-19
公开(公告)号
:
CN211858640U
公开(公告)日
:
2020-11-03
发明(设计)人
:
廖兵
沈礼福
申请人
:
申请人地址
:
215163 江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1-204
IPC主分类号
:
H01L23495
IPC分类号
:
H01L23367
H01L2511
代理机构
:
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人
:
王健
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-11-03
授权
授权
共 50 条
[1]
单向TVS半导体器件
[P].
廖兵
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廖兵
;
沈礼福
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沈礼福
.
中国专利
:CN211929482U
,2020-11-13
[2]
贴片式半导体器件
[P].
廖兵
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廖兵
;
沈礼福
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沈礼福
.
中国专利
:CN211858638U
,2020-11-03
[3]
大电流半导体器件以及大电流半导体器件框架
[P].
郭可桢
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郭可桢
;
熊会军
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熊会军
;
徐锐
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徐锐
.
中国专利
:CN203218250U
,2013-09-25
[4]
大电流半导体器件
[P].
张春尧
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张春尧
;
彭兴义
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彭兴义
.
中国专利
:CN206672916U
,2017-11-24
[5]
大电流半导体器件
[P].
苗庆海
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苗庆海
;
张德骏
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张德骏
;
王家俭
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王家俭
;
张兴华
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张兴华
.
中国专利
:CN2147652Y
,1993-11-24
[6]
大电流二极管器件
[P].
廖兵
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廖兵
;
沈礼福
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沈礼福
.
中国专利
:CN211858641U
,2020-11-03
[7]
SOD封装半导体器件
[P].
唐兴军
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唐兴军
;
王亚
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王亚
.
中国专利
:CN211957630U
,2020-11-17
[8]
大电流半导体器件结构
[P].
江炳煌
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江炳煌
.
中国专利
:CN203760459U
,2014-08-06
[9]
大电流半导体功率器件
[P].
朱袁正
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朱袁正
;
朱久桃
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朱久桃
;
叶鹏
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叶鹏
;
杨卓
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杨卓
.
中国专利
:CN209785910U
,2019-12-13
[10]
微型桥堆半导体器件
[P].
唐兴军
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唐兴军
;
王亚
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王亚
.
中国专利
:CN211957629U
,2020-11-17
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