大电流半导体器件结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420143532.6

申请日：

2014-03-28

公开(公告)号：

CN203760459U

公开(公告)日：

2014-08-06

发明(设计)人：

江炳煌

申请人：

申请人地址：

350001 福建省福州市仓山区盖山投资区高旺村11号

IPC主分类号：

H01L23495

IPC分类号：

代理机构：

福州元创专利商标代理有限公司 35100

代理人：

蔡学俊

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/495 申请日:20140328 授权公告日:20140806 终止日期:20210328
2014-08-06	授权	授权

共 50 条

[1]

大电流半导体器件以及大电流半导体器件框架 [P].

郭可桢 ;

熊会军 ;

徐锐 .

中国专利 :CN203218250U ,2013-09-25

[2]

大电流半导体器件 [P].

张春尧 ;

彭兴义 .

中国专利 :CN206672916U ,2017-11-24

[3]

大电流半导体器件 [P].

苗庆海 ;

张德骏 ;

王家俭 ;

张兴华 .

中国专利 :CN2147652Y ,1993-11-24

[4]

大电流半导体器件的封装工艺 [P].

江炳煌 .

中国专利 :CN103887188A ,2014-06-25

[5]

大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN209785910U ,2019-12-13

[6]

一种大电流半导体器件结构 [P].

陈宝玉 .

中国专利 :CN207425847U ,2018-05-29

[7]

大电流并联半导体器件 [P].

廖兵 ;

沈礼福 .

中国专利 :CN211858640U ,2020-11-03

[8]

大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN110164832A ,2019-08-23

[9]

一种大电流半导体器件结构 [P].

黄泽军 .

中国专利 :CN207409476U ,2018-05-25

[10]

利于焊接的大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN209804635U ,2019-12-17

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