原子层沉积装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111067752.6

申请日：

2021-09-13

公开(公告)号：

CN113774358B

公开(公告)日：

2021-12-10

发明(设计)人：

陈蓉弋戈刘潇邵华晨向俊任李嘉伟

申请人：

申请人地址：

430070 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1620 C23C1644

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

马梓洋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-10	公开	公开
2021-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20210913
2022-09-06	授权	授权

共 50 条

[1]

原子层沉积装置 [P].

陈蓉 ;

邵华晨 ;

刘潇 ;

向俊任 ;

李嘉伟 ;

弋戈 .

中国专利 :CN113564564A ,2021-10-29

[2]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

刘良文 ;

闫晓晖 ;

拉海忠 .

中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11

[3]

原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P].

叶长福 ;

魏鼎 ;

吕佐文 .

中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26

[4]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

李名言 ;

吴孝哲 ;

蔡文立 .

中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31

[5]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31

[6]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116A ,2022-04-15

[7]

原子层沉积装置及原子层沉积系统 [P].

曹生贤 .

中国专利 :CN106030848B ,2016-10-12

[8]

原子层沉积方法和原子层沉积装置 [P].

佐藤英儿 ;

坂本仁志 .

日本专利 :CN120153123A ,2025-06-13

[9]

原子层沉积装置和原子层沉积方法 [P].

龟田直人 ;

三浦敏德 ;

花仓满 .

中国专利 :CN114286875A ,2022-04-05

[10]

原子层沉积装置和原子层沉积方法 [P].

长井博之 ;

桑山哲朗 .

中国专利 :CN104141117B ,2014-11-12

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