反射型掩模坯料及其制造方法

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申请号
CN202210196543.X
申请日
2022-03-02
公开(公告)号
CN115016222A
公开(公告)日
2022-09-06
发明(设计)人
寺泽恒男 金子英雄 三村祥平
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
G03F124
IPC分类号
G03F126
代理机构
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人
谭冀
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
反射型掩模坯料及反射型掩模的制造方法 [P]. 
生越大河 ;
稻月判臣 ;
金子英雄 ;
高坂卓郎 .
日本专利 :CN119916636A ,2025-05-02
[2]
反射型掩模坯料、反射型掩模及反射型掩模坯料的制造方法 [P]. 
生越大河 ;
金子英雄 ;
稻月判臣 ;
高坂卓郎 .
日本专利 :CN121115389A ,2025-12-12
[3]
反射型掩模坯料和制造反射型掩模的方法 [P]. 
高坂卓郎 ;
生越大河 ;
稻月判臣 ;
金子英雄 .
中国专利 :CN115494692A ,2022-12-20
[4]
掩模坯料及其制造方法、相移掩模及其制造方法 [P]. 
余晴 ;
刘树围 ;
潘刘洋 ;
马浩 .
中国专利 :CN119805847A ,2025-04-11
[5]
光掩模坯料及制造方法 [P]. 
高坂卓郎 ;
寺泽恒男 ;
入江重夫 ;
木下隆裕 .
中国专利 :CN109085737A ,2018-12-25
[6]
光掩模坯料及制造方法 [P]. 
高坂卓郎 ;
寺泽恒男 ;
入江重夫 ;
木下隆裕 .
日本专利 :CN109085737B ,2024-07-09
[7]
掩模坯料及其制造方法、二元掩模及其制造方法 [P]. 
余晴 ;
刘树围 ;
潘刘洋 ;
马浩 .
中国专利 :CN119717386A ,2025-03-28
[8]
带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中川真德 ;
小坂井弘文 .
中国专利 :CN111752085A ,2020-10-09
[9]
带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中川真德 ;
小坂井弘文 .
日本专利 :CN111752085B ,2024-06-18
[10]
带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中川真德 ;
小坂井弘文 .
日本专利 :CN118567174A ,2024-08-30