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反射型掩模坯料及其制造方法
被引:0
申请号
:
CN202210196543.X
申请日
:
2022-03-02
公开(公告)号
:
CN115016222A
公开(公告)日
:
2022-09-06
发明(设计)人
:
寺泽恒男
金子英雄
三村祥平
申请人
:
申请人地址
:
日本东京
IPC主分类号
:
G03F124
IPC分类号
:
G03F126
代理机构
:
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人
:
谭冀
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-06
公开
公开
共 50 条
[1]
反射型掩模坯料及反射型掩模的制造方法
[P].
生越大河
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
生越大河
;
稻月判臣
论文数:
0
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机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
稻月判臣
;
金子英雄
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0
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0
机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
金子英雄
;
高坂卓郎
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
高坂卓郎
.
日本专利
:CN119916636A
,2025-05-02
[2]
反射型掩模坯料、反射型掩模及反射型掩模坯料的制造方法
[P].
生越大河
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
生越大河
;
金子英雄
论文数:
0
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0
机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
金子英雄
;
稻月判臣
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0
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0
机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
稻月判臣
;
高坂卓郎
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0
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0
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0
机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
高坂卓郎
.
日本专利
:CN121115389A
,2025-12-12
[3]
反射型掩模坯料和制造反射型掩模的方法
[P].
高坂卓郎
论文数:
0
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0
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0
高坂卓郎
;
生越大河
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生越大河
;
稻月判臣
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0
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稻月判臣
;
金子英雄
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0
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0
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0
金子英雄
.
中国专利
:CN115494692A
,2022-12-20
[4]
掩模坯料及其制造方法、相移掩模及其制造方法
[P].
余晴
论文数:
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0
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机构:
擎方科技(济南)有限公司
擎方科技(济南)有限公司
余晴
;
刘树围
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0
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0
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机构:
擎方科技(济南)有限公司
擎方科技(济南)有限公司
刘树围
;
潘刘洋
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机构:
擎方科技(济南)有限公司
擎方科技(济南)有限公司
潘刘洋
;
马浩
论文数:
0
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0
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0
机构:
擎方科技(济南)有限公司
擎方科技(济南)有限公司
马浩
.
中国专利
:CN119805847A
,2025-04-11
[5]
光掩模坯料及制造方法
[P].
高坂卓郎
论文数:
0
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0
高坂卓郎
;
寺泽恒男
论文数:
0
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寺泽恒男
;
入江重夫
论文数:
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0
入江重夫
;
木下隆裕
论文数:
0
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0
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0
木下隆裕
.
中国专利
:CN109085737A
,2018-12-25
[6]
光掩模坯料及制造方法
[P].
高坂卓郎
论文数:
0
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0
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机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
高坂卓郎
;
寺泽恒男
论文数:
0
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0
机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
寺泽恒男
;
入江重夫
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0
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机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
入江重夫
;
木下隆裕
论文数:
0
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0
机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
木下隆裕
.
日本专利
:CN109085737B
,2024-07-09
[7]
掩模坯料及其制造方法、二元掩模及其制造方法
[P].
余晴
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
擎方科技(济南)有限公司
擎方科技(济南)有限公司
余晴
;
刘树围
论文数:
0
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0
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0
机构:
擎方科技(济南)有限公司
擎方科技(济南)有限公司
刘树围
;
潘刘洋
论文数:
0
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0
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机构:
擎方科技(济南)有限公司
擎方科技(济南)有限公司
潘刘洋
;
马浩
论文数:
0
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0
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0
机构:
擎方科技(济南)有限公司
擎方科技(济南)有限公司
马浩
.
中国专利
:CN119717386A
,2025-03-28
[8]
带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法
[P].
中川真德
论文数:
0
引用数:
0
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0
中川真德
;
小坂井弘文
论文数:
0
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0
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0
小坂井弘文
.
中国专利
:CN111752085A
,2020-10-09
[9]
带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法
[P].
中川真德
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
HOYA株式会社
HOYA株式会社
中川真德
;
小坂井弘文
论文数:
0
引用数:
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机构:
HOYA株式会社
HOYA株式会社
小坂井弘文
.
日本专利
:CN111752085B
,2024-06-18
[10]
带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法
[P].
中川真德
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
HOYA株式会社
HOYA株式会社
中川真德
;
小坂井弘文
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
HOYA株式会社
HOYA株式会社
小坂井弘文
.
日本专利
:CN118567174A
,2024-08-30
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