掩模坯料及其制造方法、二元掩模及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510095454.X

申请日：

2025-01-21

公开(公告)号：

CN119717386A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

余晴刘树围潘刘洋马浩

申请人：

擎方科技（济南）有限公司

申请人地址：

250000 山东省济南市高新区经十东路33688号济南章锦保税区五期厂房二期

IPC主分类号：

G03F1/00

IPC分类号：

G03F1/38 G03F1/46 G03F1/80 G03F1/76 G03F1/82

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

郑梦萱

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/00申请日:20250121
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

掩模坯料及其制造方法、相移掩模及其制造方法 [P].

余晴 ;

刘树围 ;

潘刘洋 ;

马浩 .

中国专利 :CN119805847A ,2025-04-11

[2]

二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法 [P].

吉川博树 ;

稻月判臣 ;

西川和宏 ;

金子英雄 .

中国专利 :CN102375326A ,2012-03-14

[3]

光掩模坯料、光掩模及其制造方法 [P].

吉川博树 ;

稻月判臣 ;

木名濑良纪 ;

冈崎智 ;

原口崇 ;

岩片政秀 ;

福岛祐一 .

中国专利 :CN1763632B ,2006-04-26

[4]

光掩模坯料及其制造方法 [P].

深谷创一 .

中国专利 :CN103376642B ,2013-10-30

[5]

反射型掩模坯料及其制造方法 [P].

寺泽恒男 ;

金子英雄 ;

三村祥平 .

中国专利 :CN115016222A ,2022-09-06

[6]

光掩模坯料及光掩模的制造方法 [P].

小岛洋介 ;

吉川博树 ;

稻月判臣 ;

小板桥龙二 .

中国专利 :CN102656516B ,2012-09-05

[7]

光掩模坯料及光掩模的制造方法 [P].

深谷创一 ;

中川秀夫 ;

笹本纮平 .

中国专利 :CN103424983A ,2013-12-04

[8]

二元光掩模坯料、其制备、和二元光掩模的制备 [P].

稻月判臣 ;

高坂卓郎 ;

西川和宏 .

中国专利 :CN105301890A ,2016-02-03

[9]

光掩模坯料及其制造方法、光掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法 [P].

坪井诚治 ;

中村真实 .

中国专利 :CN109254496A ,2019-01-22

[10]

用于制造二元光掩模坯料的离子束沉积方法 [P].

彼得·弗朗西斯·卡西亚 ;

劳伦特·戴乌 .

中国专利 :CN1520533A ,2004-08-11

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