栅极结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610029926.9

申请日：

2006-08-10

公开(公告)号：

CN101123186A

公开(公告)日：

2008-02-13

发明(设计)人：

罗飞吴金刚高大为高关且

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101239505029 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2006100299269 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111109
2009-09-09	授权	授权
2008-02-13	公开	公开

共 50 条

[1]

栅极结构的制造方法 [P].

罗飞 ;

吴金刚 ;

高大为 ;

高关且 .

中国专利 :CN101123185A ,2008-02-13

[2]

栅极结构的制造方法 [P].

叶明熙 ;

黄益成 ;

徐帆毅 ;

欧阳晖 .

中国专利 :CN102044423A ,2011-05-04

[3]

制造多个栅极结构的方法 [P].

陈建豪 ;

李威养 ;

唐伟烨 ;

于雄飞 ;

许光源 .

中国专利 :CN102737974A ,2012-10-17

[4]

栅极结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102655168A ,2012-09-05

[5]

栅极结构及其制造方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

张世谋 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101211769A ,2008-07-02

[6]

栅极结构及制造方法 [P].

陈瑜 ;

陈华伦 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103579317A ,2014-02-12

[7]

制造凹式栅极结构的方法 [P].

长世亿 ;

赵兴在 ;

金愚镇 ;

朴滢淳 ;

金瑞珉 ;

郑台愚 .

中国专利 :CN1630040A ,2005-06-22

[8]

具有引出结构的沟槽侧壁栅极及其制造方法 [P].

许超奇 ;

陈淑娴 ;

罗泽煌 ;

马春霞 .

中国专利 :CN113745158B ,2025-11-07

[9]

具有引出结构的沟槽侧壁栅极及其制造方法 [P].

许超奇 ;

陈淑娴 ;

罗泽煌 ;

马春霞 .

中国专利 :CN113745158A ,2021-12-03

[10]

半导体器件栅极结构的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101038870A ,2007-09-19

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