确定半导体衬底温度的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780013829.3

申请日：

2007-04-19

公开(公告)号：

CN101427116B

公开(公告)日：

2009-05-06

发明(设计)人：

斯丹·科尔迪克麦因迪特·M·鲁宁伯格让-菲利普·雅克曼

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

G01K732

IPC分类号：

G01K734

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01K 7/32 申请日:20070419 授权公告日:20110817 终止日期:20190419
2009-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-08-17	授权	授权
2009-05-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[2]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[3]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[4]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[5]

半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置 [P].

金子忠昭 ;

小岛清 .

中国专利 :CN114423888A ,2022-04-29

[6]

半导体衬底和半导体装置 [P].

J·埃施 .

中国专利 :CN112053994A ,2020-12-08

[7]

半导体衬底和半导体装置 [P].

J·埃施 .

德国专利 :CN112053994B ,2025-02-07

[8]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

[9]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[10]

半导体衬底生产方法及半导体衬底和半导体器件 [P].

竹中正浩 .

中国专利 :CN1259694C ,2004-04-07

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