提高半导体沟渠蚀刻均匀性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410053289.X

申请日：

2004-07-29

公开(公告)号：

CN1728344A

公开(公告)日：

2006-02-01

发明(设计)人：

那炜

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

蒋方凯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-19	授权	授权
2018-01-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/306 登记生效日:20171220 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
2006-02-01	公开	公开
2006-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-07-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20040729 授权公告日:20070919 终止日期:20210729

共 50 条

[1]

半导体蚀刻方法 [P].

邓丽刚 ;

凯蒂·霍尔 .

中国专利 :CN112567503A ,2021-03-26

[2]

半导体蚀刻方法 [P].

邓丽刚 ;

凯蒂·霍尔 .

英国专利 :CN112567503B ,2025-01-10

[3]

提高晶片蚀刻均匀性的方法及装置 [P].

苏贤达 ;

李彬彬 ;

霍曜 ;

李瑞评 ;

梅晓阳 ;

王兴林 ;

吴福仁 ;

段学超 .

中国专利 :CN111816593A ,2020-10-23

[4]

半导体材料的选择性精确蚀刻 [P].

南森·马塞尔怀特 ;

朱济 ;

杰罗姆·米歇尔·多米尼克·美莱特 ;

大卫·穆伊 ;

马克·直司·川口 ;

阿德里安·拉沃伊 .

中国专利 :CN115668463A ,2023-01-31

[5]

用以蚀刻半导体材料的方法 [P].

珍·皮尔·柯林 ;

卡罗司·迪亚兹 ;

马克范达尔 .

中国专利 :CN108231582B ,2018-06-29

[6]

改善半导体掺杂均匀性的方法 [P].

孙博韬 ;

张园览 ;

修德琦 .

中国专利 :CN120280336A ,2025-07-08

[7]

一种提高蚀刻均匀性的玻璃蚀刻机 [P].

金万龙 .

中国专利 :CN221894884U ,2024-10-25

[8]

半导体材料的蚀刻方法及蚀刻机台的控制方法 [P].

张彪 .

中国专利 :CN119542135A ,2025-02-28

[9]

半导体结构的蚀刻方法 [P].

刘艳杰 ;

杜兵 ;

刘来教 ;

顾海龙 ;

黄清俊 ;

谈文毅 .

中国专利 :CN119517741A ,2025-02-25

[10]

蚀刻半导体基底的方法 [P].

黄登旺 ;

克里斯丁苏克 .

中国专利 :CN1691289A ,2005-11-02

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