具有增强散热性的半导体封装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480044529.8

申请日：

2004-12-20

公开(公告)号：

CN100435324C

公开(公告)日：

2007-11-14

发明(设计)人：

弗朗西斯·J·卡尔尼迈克尔·J·瑟登肯特·L·凯姆梁龙年李宇闻

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

H01L23433

IPC分类号：

H01L2331 H01L23495

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-14	公开	公开
2008-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-12-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/433 申请日:20041220 授权公告日:20081119 终止日期:20201220
2008-11-19	授权	授权

共 50 条

[1]

具有增强散热性的半导体封装结构 [P].

弗朗西斯·J·卡尔尼 ;

迈克尔·J·瑟登 .

中国专利 :CN101073151B ,2007-11-14

[2]

具有增强散热性的半导体封装结构 [P].

弗朗西斯·J·卡尔尼 ;

迈克尔·J·瑟登 .

中国专利 :CN101819955B ,2010-09-01

[3]

具有散热结构的半导体封装件 [P].

蔡芳霖 ;

蔡和易 ;

黄建屏 ;

赖正渊 .

中国专利 :CN101752327B ,2010-06-23

[4]

具有散热结构的半导体封装件 [P].

黄建屏 .

中国专利 :CN2567778Y ,2003-08-20

[5]

具有双面散热结构的半导体封装 [P].

崔伦华 ;

崔淳性 .

中国专利 :CN109661723A ,2019-04-19

[6]

具有散热结构的半导体封装件 [P].

何宗达 ;

黄建屏 .

中国专利 :CN1221027C ,2002-12-25

[7]

热性改进的半导体封装 [P].

T·A·雷尔卡 ;

S·D·凯特 .

中国专利 :CN105720024A ,2016-06-29

[8]

热性改进的半导体封装 [P].

T·A·雷尔卡 ;

S·D·凯特 .

中国专利 :CN101814466A ,2010-08-25

[9]

改善散热性能的半导体封装结构及其制造方法 [P].

姜竹林 .

中国专利 :CN119993946A ,2025-05-13

[10]

具有散热结构的层叠半导体封装 [P].

崔福奎 ;

金钟薰 ;

金基范 .

中国专利 :CN112185909A ,2021-01-05

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