薄膜以及使用该薄膜的半导体装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200980105456.1
申请日
2009-02-12
公开(公告)号
CN101946311A
公开(公告)日
2011-01-12
发明(设计)人
加藤良裕 吹上纪明
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L21316
IPC分类号
C23C1642 H01L2128 H01L21336 H01L21768 H01L218238 H01L27092 H01L2978 H01L29786
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
苗堃;金世煜
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
薄膜和使用该薄膜的半导体装置的制造方法 [P]. 
加藤良裕 ;
吹上纪明 .
中国专利 :CN101681835A ,2010-03-24
[2]
薄膜半导体装置以及薄膜半导体装置的制造方法 [P]. 
钟之江有宣 ;
川岛孝启 .
中国专利 :CN103189970B ,2013-07-03
[3]
半导体装置的制造方法以及用于该半导体装置的制造方法的胶粘薄膜 [P]. 
田中俊平 ;
宍户雄一郎 ;
大西谦司 ;
浅井文辉 .
中国专利 :CN104040697B ,2014-09-10
[4]
薄膜半导体装置和该薄膜半导体装置的制造方法 [P]. 
町田晓夫 ;
藤野敏夫 ;
河野正洋 .
中国专利 :CN101150057B ,2008-03-26
[5]
半导体用粘着薄膜 ,使用该粘着薄膜的附有粘着薄膜金属板 ,附有该粘着薄膜的配线电路及半导体装置 ,以及半导体装置的制造方法 [P]. 
松浦秀一 ;
河合纪安 .
中国专利 :CN1698200A ,2005-11-16
[6]
胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P]. 
宍户雄一郎 ;
三隅贞仁 ;
大西谦司 .
中国专利 :CN103515276B ,2014-01-15
[7]
层叠薄膜以及半导体装置的制造方法 [P]. 
木村雄大 ;
吉田直子 ;
高本尚英 ;
杉村敏正 ;
中浦宏 .
中国专利 :CN114520180A ,2022-05-20
[8]
薄膜半导体器件以及薄膜半导体器件的制造方法 [P]. 
钟之江有宣 ;
川岛孝启 .
中国专利 :CN103314444B ,2013-09-18
[9]
胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P]. 
宍户雄一郎 ;
三隅贞仁 ;
大西谦司 .
中国专利 :CN104119812A ,2014-10-29
[10]
薄膜半导体装置的制造方法 [P]. 
宫坂光敏 ;
小川哲也 ;
时冈秀忠 ;
佐藤行雄 ;
井上满夫 ;
笹川智广 .
中国专利 :CN1156894C ,2001-07-18