薄膜和使用该薄膜的半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880017520.6

申请日：

2008-05-19

公开(公告)号：

CN101681835A

公开(公告)日：

2010-03-24

发明(设计)人：

加藤良裕吹上纪明

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336 H01L21768 H01L218238 H01L23522 H01L27092 H01L2978 H01L29786

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101254520575 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2008800175206 公开日:20100324
2010-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001462427 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2008800175206 申请日:20080519
2010-03-24	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜以及使用该薄膜的半导体装置的制造方法 [P].

加藤良裕 ;

吹上纪明 .

中国专利 :CN101946311A ,2011-01-12

[2]

薄膜半导体装置和该薄膜半导体装置的制造方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101150057B ,2008-03-26

[3]

薄膜半导体装置和制造薄膜半导体装置的方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101038938A ,2007-09-19

[4]

半导体装置和制造该半导体装置的方法 [P].

罗熙稌 ;

黄善珏 ;

金成淳 .

中国专利 :CN114388520A ,2022-04-22

[5]

半导体用粘合薄膜、及使用该薄膜的引线框和半导体装置 [P].

田边义行 ;

松浦秀一 .

中国专利 :CN1401720A ,2003-03-12

[6]

半导体装置和制造该半导体装置的方法 [P].

生田哲也 .

中国专利 :CN101465371B ,2009-06-24

[7]

薄膜半导体装置的制造方法 [P].

宫坂光敏 ;

小川哲也 ;

时冈秀忠 ;

佐藤行雄 ;

井上满夫 ;

笹川智广 .

中国专利 :CN1156894C ,2001-07-18

[8]

粘合薄膜和半导体装置的制造方法 [P].

谷口彻弥 ;

薮下谕 .

日本专利 :CN119161817A ,2024-12-20

[9]

薄膜改性组合物、使用其形成薄膜的方法、由该方法制造的半导体基板及半导体器件 [P].

李承铉 ;

郑在善 ;

金德铉 .

韩国专利 :CN118871613A ,2024-10-29

[10]

薄膜半导体器件和薄膜半导体器件的制造方法 [P].

鬼冢达也 .

中国专利 :CN100378514C ,2005-02-09

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