一种薄膜金属氧化物结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110235465.5

申请日：

2021-03-03

公开(公告)号：

CN113026002A

公开(公告)日：

2021-06-25

发明(设计)人：

宋阳许宏军张雷彭肇华

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市高新区唐延南路十一号3幢11645室

IPC主分类号：

C23C1812

IPC分类号：

代理机构：

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法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-25	公开	公开
2021-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 18/12 申请日:20210303

共 50 条

[1]

金属氧化物薄膜及其制造方法 [P].

福久孝治 ;

中岛章 ;

筱原贤次 ;

渡部俊也 ;

大崎寿 ;

芹川正 .

中国专利 :CN1564876A ,2005-01-12

[2]

薄膜金属氧化物结构及其制造方法 [P].

K·费森贝瑟 ;

J·M·芬德 ;

J·瑞姆达尼 ;

R·德鲁派德 ;

W·J·欧姆斯 .

中国专利 :CN1449458A ,2003-10-15

[3]

一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜 [P].

杨振怀 ;

郭远军 ;

卫红 ;

胡琅 ;

胡强 ;

肖永能 ;

刘宏 ;

郭可升 .

中国专利 :CN114561617A ,2022-05-31

[4]

金属氧化物薄膜，沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置 [P].

一杉太郎 .

中国专利 :CN107074662B ,2017-08-18

[5]

一种双金属氧化物薄膜制备方法及双金属氧化物薄膜 [P].

明帅强 ;

戴昕童 ;

夏洋 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120924941A ,2025-11-11

[6]

金属氧化物薄膜的制造方法及制造装置 [P].

安井宽治 ;

西山洋 ;

筑地正俊 ;

井上泰宣 ;

高田雅介 .

中国专利 :CN101680088B ,2010-03-24

[7]

用于OLED的金属氧化物薄膜基板及其制造方法 [P].

李柱永 ;

朴峻亨 ;

刘泳祚 ;

金序炫 ;

朴正佑 ;

白逸姬 ;

尹根尙 ;

李铉熙 ;

崔殷豪 .

中国专利 :CN103730600A ,2014-04-16

[8]

金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

李言荣 ;

陶伯万 ;

陈寅 ;

刘兴钊 ;

朱俊 ;

吴传贵 ;

吴健 .

中国专利 :CN100469940C ,2006-03-01

[9]

金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

彭钊 .

中国专利 :CN111088484A ,2020-05-01

[10]

一种金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

单福凯 ;

孟优 ;

郭子栋 ;

刘奥 ;

刘国侠 .

中国专利 :CN106910688A ,2017-06-30

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