一种湿法化学腐蚀LED表面粗化工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110062007.2

申请日：

2011-03-15

公开(公告)号：

CN102185040A

公开(公告)日：

2011-09-14

发明(设计)人：

张志强

申请人：

申请人地址：

313118 浙江省湖州市长兴县白岘乡西北工业园区

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

C23F102 C23F130

代理机构：

杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217

代理人：

胡根良

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101127321569 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011100620072 申请日:20110315
2013-11-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101675939508 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011100620072 申请公布日:20110914
2011-09-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种LED表面粗化工艺 [P].

章晓霞 .

中国专利 :CN103996770B ,2014-08-20

[2]

一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺 [P].

王丽江 ;

王勇威 ;

范文斌 ;

胡天水 ;

夏楠君 .

中国专利 :CN109712865B ,2019-05-03

[3]

一种LED外延片表面粗化工艺 [P].

章晓霞 .

中国专利 :CN103996771B ,2014-08-20

[4]

一种LED芯片表面粗化工艺 [P].

高诗原 ;

陈明哲 ;

高强 ;

郑小菲 .

中国专利 :CN118610328A ,2024-09-06

[5]

一种LED芯片表面粗化工艺 [P].

高诗原 ;

陈明哲 ;

高强 ;

郑小菲 .

中国专利 :CN118610328B ,2025-02-18

[6]

一种LED的GaN外延片表面粗化工艺 [P].

章晓霞 .

中国专利 :CN103996754A ,2014-08-20

[7]

一种金属湿法化学腐蚀装置 [P].

黄赛琴 ;

黄福仁 .

中国专利 :CN223189259U ,2025-08-05

[8]

一种湿法化学腐蚀液处理装置 [P].

徐宏进 .

中国专利 :CN217903079U ,2022-11-25

[9]

一种多层金属图形化工艺中的湿法腐蚀方法 [P].

韩文胜 ;

缪新海 ;

臧延亮 .

中国专利 :CN103681277A ,2014-03-26

[10]

一种硅半导体器件双级台阶结构的湿法化学腐蚀方法 [P].

朱长纯 ;

王颖 ;

吴春瑜 ;

袁寿财 .

中国专利 :CN1260784C ,2004-11-17

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