一种LED的GaN外延片表面粗化工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410168481.7

申请日：

2014-04-24

公开(公告)号：

CN103996754A

公开(公告)日：

2014-08-20

发明(设计)人：

章晓霞

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省义乌市稠江路2巷7号301

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3322

代理机构：

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法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-25	授权	授权
2014-08-20	公开	公开
2014-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586964803 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2014101684817 申请日:20140424

共 50 条

[1]

一种LED外延片表面粗化工艺 [P].

章晓霞 .

中国专利 :CN103996771B ,2014-08-20

[2]

一种LED表面粗化工艺 [P].

章晓霞 .

中国专利 :CN103996770B ,2014-08-20

[3]

GaN-LED外延片表面粗化方法、外延片及LED [P].

周志兵 ;

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115799409B ,2025-10-31

[4]

一种LED芯片表面粗化工艺 [P].

高诗原 ;

陈明哲 ;

高强 ;

郑小菲 .

中国专利 :CN118610328A ,2024-09-06

[5]

一种LED芯片表面粗化工艺 [P].

高诗原 ;

陈明哲 ;

高强 ;

郑小菲 .

中国专利 :CN118610328B ,2025-02-18

[6]

一种GaN基LED外延片表面粗化方法 [P].

曲爽 ;

邵慧慧 ;

王成新 ;

李树强 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN102130223B ,2011-07-20

[7]

一种湿法化学腐蚀LED表面粗化工艺 [P].

张志强 .

中国专利 :CN102185040A ,2011-09-14

[8]

一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法 [P].

张勇 .

中国专利 :CN108054247A ,2018-05-18

[9]

一种GaN基LED蓝绿光外延片表面粗化的生长方法 [P].

李毓锋 ;

马旺 ;

刘永明 ;

王成新 ;

肖成峰 .

中国专利 :CN111490133B ,2020-08-04

[10]

一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法 [P].

徐海龙 .

中国专利 :CN103824914B ,2014-05-28

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