GaN-LED外延片表面粗化方法、外延片及LED

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211545835.6

申请日：

2022-11-29

公开(公告)号：

CN115799409B

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

周志兵张星星林潇雄胡加辉金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

C23C14/24 C23C14/35 C23C16/50 C23C16/40 C23C14/08

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

陈冬莲

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	授权	授权

共 50 条

[1]

一种GaN基LED外延片表面粗化方法 [P].

曲爽 ;

邵慧慧 ;

王成新 ;

李树强 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN102130223B ,2011-07-20

[2]

GaN基LED外延片 [P].

刘波 ;

尹甲运 ;

白欣娇 ;

袁凤坡 ;

王波 ;

潘鹏 ;

汪灵 ;

周晓龙 ;

王静辉 .

中国专利 :CN205264741U ,2016-05-25

[3]

GaN基LED外延片 [P].

肖怀曙 ;

谢春林 .

中国专利 :CN203491288U ,2014-03-19

[4]

表面粗化的LED外延片及其制备方法、LED [P].

周志兵 ;

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115621375A ,2023-01-17

[5]

表面粗化的LED外延片及其制备方法、LED [P].

周志兵 ;

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115621375B ,2025-08-15

[6]

红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构 [P].

刘召军 ;

吴国才 ;

莫炜静 ;

于海娇 .

中国专利 :CN110970538B ,2020-04-07

[7]

LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法 [P].

丁昊 ;

谢志文 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119133329A ,2024-12-13

[8]

LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法 [P].

罗城辉 ;

谢志文 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119153596A ,2024-12-17

[9]

LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法 [P].

丁昊 ;

谢志文 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119133329B ,2025-04-04

[10]

GaN基LED外延片及制备方法 [P].

舒俊 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119342951B ,2025-10-31

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