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一种基于临近颗粒法的无背金MOSFET晶圆测试方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110217703.X
申请日：
2021-02-26
公开(公告)号：
CN113030675A
公开(公告)日：
2021-06-25
发明(设计)人：
王煜
申请人：
申请人地址：
710000 陕西省西安市高新区西部大道170号西安丰泽科技园2号楼401室
IPC主分类号：
G01R3126
IPC分类号：
代理机构：
西安通大专利代理有限责任公司 61200
代理人：
房鑫
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-07-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20210226 |
| 2021-06-25 | 公开 | 公开 |
| 2022-12-16 | 著录事项变更 | 著录事项变更 IPC(主分类):G01R 31/26 变更事项:申请人 变更前:陕西三海测试技术开发有限责任公司 变更后:赛英特半导体技术（西安）有限公司 变更事项:地址 变更前:710000 陕西省西安市高新区西部大道170号西安丰泽科技园2号楼401室 变更后:710000 陕西省西安市高新区西部大道170号西安丰泽科技园2号楼401室 |